2023年7月3日星期一，公司邀请到了华东师范大学通信与电子工程学院/集成电路学院副经理，国际微电子工程青年学者、国家高层次青年人才计划获得者吴幸教授围绕“高可靠集成电路器件的原位表征与设计优化”开展报告。学术讲座由汪鹏君经理主持，科研教师骨干和研究生出席会议。

报告中，吴幸教授就集成电路先进工艺节点微缩进程中对提升器件良率和可靠性面临的问题进行了详细报告。吴幸教授认为在以往的研究中，CMOS器件中栅介质层击穿（TDDB）和晶体管自热（self-heating）的耦合效应没有得到重视，同时两者之间的失效机制尚不明确是阻碍先进工艺发展的底层问题。因此，吴幸教授基于16/14纳米先进工艺平台，通过尖端的原位表征技术，在原子尺度下揭示了FinFET器件自热和“开态TDDB”应力模式的耦合作用机理，发现了开态TDDB模式的软击穿（SBD）会引发中段（MOL）金属互连电迁移（EM）的现象，开展了该现象的物理建模，提出了相应的版图优化方案以抑制EM，为集成电路先进节点的可靠设计提供了强有力的理论与实验依据。

在报告的讨论阶段，吴幸教授对在座师生的每一个问题都作出了细致专业的回答，充分开阔了公司师生的视野，激发了员工的科研热情。